research

Search

บทความวิชาการ

Alpha Power Law Based Model of Random Variation in Nanometer FGMOSFET

ชื่องานวิจัย

(ไทย)

 

แบบจำลองของความแปรผันของเอฟจีมอสเฟทบนพื้นฐานของอัลฟาพาวเวอร์ลอว์

ชื่องานวิจัย

(อังกฤษ)

Alpha Power Law Based Model of Random Variation in Nanometer FGMOSFET

ชื่อผู้วิจัย

ผศ. ดร. รวิศวร์ บานชื่น

สาขาวิชา วิศวกรรมศาสตร์และอุตสาหกรรมวิจัย (วิศวกรรมศาสตร์)
ปีการศึกษา 2559

เนื้อหา

ลำดับที่ เนื้อหา ไฟล์ (PDF)
1 บทคัดย่อไทย 01.pdf
2 บทคัดย่ออังกฤษ

02.pdf

3 บทความวิจัย

03.pdf

 

 

 

 

เนื้อหาเนื้อหา

You are here: Home บทความวิชาการ Alpha Power Law Based Model of Random Variation in Nanometer FGMOSFET