research

Search

บทความวิชาการ

Probabilistic Modelling of Variation in FGMOSFET Devices

ชื่องานวิจัยภาษาไทย

การสร้างแบบจำลองความน่าจะเป็นของการเปลี่ยนแปลงแบบสุ่มของอุปกรณ์เอฟจีมอสเฟท

ชื่องานวิจัยภาษาอังกฤษ

Probabilistic Modelling of Variation in FGMOSFET Devices

ชื่อผู้วิจัย

ผศ. ดร. รวิศวร์ บานชื่น

สาขา วิศวกรรมศาสตร์
ปีการศึกษา 2559
ลำดับที่ เนื้อหา ไฟล์ (PDF)
1 บทคัดย่อ (ภาษาไทย)

01_abs.pdf

You are here: Home บทความวิชาการ Probabilistic Modelling of Variation in FGMOSFET Devices